[发明专利]开关型功率半导体器件及其制作方法

摘要

本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体公开一种开关型功率半导体器件及其制作方法。所述器件包括硅层，所述硅层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面分为有源区域和结终端区域，所述有源区域周围为所述结终端区域围绕；所述第二表面分为与所述有源区域证对应的第一离子掺杂区域和与所述结终端区域证对应的掺杂离子体浓度低于所述第一离子掺杂区域的第二离子掺杂区域，所述第一离子掺杂区域的周围为所述第二离子掺杂区域围绕，还包括结合于所述第二表面的金属层。本发明可降低器件结终端区域的自由载流子浓度和电流密度，减少碰撞电离和动态雪崩击穿，减少边缘元胞由于电流集中产生的latch‑up损坏，从而提高器件的整体安全工作区。

主权项

一种开关型功率半导体器件，包括硅层，所述硅层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面分为有源区域和结终端区域，还包括结合于所述第二表面的金属层，其特征在于：所述有源区域的周围为所述结终端区域围绕；所述第二表面分为与所述有源区域正对应的第一离子掺杂区域和与所述结终端区域正对应的掺杂离子体浓度低于所述第一离子掺杂区域的第二离子掺杂区域，所述第一离子掺杂区域的周围为所述第二离子掺杂区域围绕，所述第一离子掺杂区域的面积小于或等于所述有源区域的面积，所述第一离子掺杂区域含有的注入离子体浓度大于所述第二离子掺杂区域含有的注入离子体浓度至少一个数量级。