[发明专利]石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置有效
| 申请号： | 201710104454.7 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107134424B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 菊池诚弘;八木赏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够以简单的构造来可靠地固定石英管而没有摇晃、倾斜、脱离、破损等、还可设置许多石英管的石英管保持构造和使用该石英管保持构造的热处理装置。一种石英管保持构造具有：纵长的处理容器(10)；石英管(110)，其沿着该处理容器的内壁面(12)的长度方向，至少在该处理容器的下部与所述内壁面之间具有间隔地设置；支承构件(102)，其从下方支承该石英管；按压力产生器具(140)，其在所述处理容器的下部对所述石英管施加从所述处理容器的内侧朝向所述内壁面的按压力来固定所述石英管。 | ||
| 搜索关键词： | 石英管 保持 构造 使用 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种石英管保持构造，其具有：纵长的处理容器；石英管，其沿着该处理容器的内壁面的长度方向，至少在该处理容器的下部与所述内壁面之间具有间隔地设置；支承构件，其从下方支承该石英管；按压力产生器具，其在所述处理容器的下部对所述石英管施加从所述处理容器的内侧朝向所述内壁面的按压力来固定所述石英管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
