[发明专利]石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置有效
申请号: | 201710104454.7 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107134424B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 菊池诚弘;八木赏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石英管 保持 构造 使用 热处理 装置 | ||
1.一种石英管保持构造,其具有:
纵长的处理容器;
石英管,其沿着该处理容器的内壁面的长度方向,至少在该处理容器的下部与所述内壁面之间具有间隔地设置;
支承构件,其从下方支承该石英管,具有供所述石英管的下端插入的插入孔;
按压力产生器具,其在所述处理容器的下部对所述石英管的位于所述插入孔上方的部位施加从所述处理容器的内侧朝向所述内壁面的按压力来固定所述石英管。
2.根据权利要求1所述的石英管保持构造,其中,
所述石英管的上端附近与所述处理容器的所述内壁面接触或与比该内壁面向内侧隆起的支承面接触。
3.根据权利要求2所述的石英管保持构造,其中,
所述石英管的上端附近以插入到插入孔的状态与所述支承面接触。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的石英管保持构造,其中,
所述按压力产生器具设置于比所述支承构件靠上方的位置。
5.根据权利要求4所述的石英管保持构造,其中,
所述按压力产生器具固定地设置于所述支承构件的上表面。
6.根据权利要求5所述的石英管保持构造,其中,
所述按压力产生器具具有:下侧固定构件,其具有能够包围所述石英管的外周的一半以上的形状,设置于下侧;上侧按压构件,其具有能够按压所述石英管的形状,设置于上侧;以及连结构件,其将所述下侧固定构件和所述上侧按压构件连结,
在将所述下侧固定构件固定到所述支承构件的上表面时,利用所述连结构件作用有使所述上侧按压构件朝向所述处理容器的所述内壁面的弹性力,利用所述上侧按压构件对所述石英管施加所述按压力。
7.根据权利要求6所述的石英管保持构造,其中,
所述上侧按压构件的按压面在沿着按压方向的纵截面上配置于比所述下侧固定构件的内周面靠前方的位置,
在将所述下侧固定构件固定到所述支承构件的上表面时,在所述连结构件的弹性力的作用下,作用有使所述上侧按压构件朝向所述处理容器的所述内壁面的所述按压力。
8.根据权利要求6或7所述的石英管保持构造,其中,
所述上侧按压构件和所述下侧固定构件具有能够与所述石英管卡合的形状。
9.根据权利要求8所述的石英管保持构造,其中,
能够与所述石英管卡合的形状是U字形状。
10.根据权利要求9所述的石英管保持构造,其中,
所述下侧固定构件在所述U字形状的内周两侧面具有进深的长度比所述石英管的直径短的直线部分。
11.根据权利要求10所述的石英管保持构造,其中,
所述石英管具有与所述下侧固定构件的所述直线部分相对的平坦面。
12.根据权利要求6或7所述的石英管保持构造,其中,
所述下侧固定构件以与所述石英管之间具有间隙而非接触的状态固定于所述支承构件的上表面。
13.根据权利要求1~3中任一项所述的石英管保持构造,其中,
所述按压力产生器具由金属形成。
14.根据权利要求13所述的石英管保持构造,其中,
所述按压力产生器具由哈斯特洛依合金形成。
15.根据权利要求1~3中任一项所述的石英管保持构造,其中,
所述石英管是为了向所述处理容器内供给气体而设置的喷射器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710104454.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:倒装芯片键合装置及其键合方法
- 下一篇:芯片键合装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造