[发明专利]石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置有效
申请号: | 201710104454.7 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107134424B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 菊池诚弘;八木赏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石英管 保持 构造 使用 热处理 装置 | ||
本发明的目的在于提供一种能够以简单的构造来可靠地固定石英管而没有摇晃、倾斜、脱离、破损等、还可设置许多石英管的石英管保持构造和使用该石英管保持构造的热处理装置。一种石英管保持构造具有:纵长的处理容器(10);石英管(110),其沿着该处理容器的内壁面(12)的长度方向,至少在该处理容器的下部与所述内壁面之间具有间隔地设置;支承构件(102),其从下方支承该石英管;按压力产生器具(140),其在所述处理容器的下部对所述石英管施加从所述处理容器的内侧朝向所述内壁面的按压力来固定所述石英管。
技术领域
本发明涉及石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置。
背景技术
以往以来,公知有一种气体供给部,其包括:直管部,其具有至少1个气体供给孔;下端部,其形成于直管部的下端,具有比直管部的直径大的宽度;载置部,其用于载置下端部;盖部,其将下端部固定于载置部,具有在下端部倾斜了时支承下端部的上表面的支承面,在盖部的上表面以与所述直管部之间具有预定间隔的方式形成有缺口,在所述载置部的与下端部接触的接触面形成有导入气体的导入孔(参照例如专利文献1)。
在该专利文献1所记载的气体供给部中,通过利用载置部和盖部夹持下端部,将下端部固定并使该下端部自立,容易地进行气体喷嘴设置等维护作业。
另外,公知有一种基板处理装置,其具备:反应管,其形成对基板进行处理的反应室,并且,将多张基板以沿着纵向装载的状态收容于在反应室内确保的反应空间;气体供给喷嘴,其沿着纵向设置于反应空间;倾斜抑制部件,其对设置于反应空间的气体供给喷嘴的倾斜进行抑制,倾斜抑制部件具备喷嘴固定构件,该喷嘴固定构件形成有:喷嘴支承部,其利用支承面支承气体供给喷嘴的下端部;固定部,其在利用支承面支承着气体供给喷嘴的下端部的状态下可将气体供给喷嘴固定于喷嘴支承部(参照例如专利文献2)。
在该专利文献2所记载的基板处理装置中,在气体供给喷嘴设置于反应室内的情况下,以降低气体供给喷嘴的倾斜为目的。
专利文献1:日本特开2015-185578号公报
专利文献2:日本特开2013-187459号公报
发明内容
不过,近年来,基于半导体制造工艺的多样化和面内均匀性的确保的较高的要求,存在使供给气体的种类增加、或利用不同的喷嘴将相同的气体向每个区域供给的要求,存在气体供给喷嘴的设置根数增加的倾向。
然而,在专利文献1中,存在如下问题:是通过载置部和盖部对下端部的夹持、使直管部的下端部固定并使其自立的构造,因此,不得不设为载置部、盖部和下端部一定程度较大的构造,若气体供给喷嘴增加,则空间不足,难以较多地设置气体供给喷嘴。
另外,在专利文献2中,存在如下问题:由于是将气体供给喷嘴的下端部固定于喷嘴固定构件的喷嘴支承部而使倾斜降低的构造,因此,喷嘴固定构件不得不构成为具有一定程度的大小,还是难以较多地设置气体供给喷嘴。
因此,本发明的目的在于提供一种石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置,该石英管保持构造能够以简单的构造来可靠地固定石英管而没有摇晃、倾斜、脱离等,还可设置许多石英管。
为了达成上述目的,本发明的一技术方案的石英管保持构造具有:
纵长的处理容器;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造