[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201710092445.0 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN106997887B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 城户英男;榎本贵幸;富樫秀晃 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 卫李贤;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子设备。其中，固体摄像器件包括：读出栅极，其隔着栅极绝缘膜嵌入在半导体基板中所形成的沟槽内；光电转换区，其在与所述栅极绝缘膜保持间隔的同时设置于所述半导体基板内部；浮动扩散部，其在与所述光电转换区保持间隔的同时而设置于所述半导体基板的表面层上；以及电势调整区，其布置为与所述光电转换区和所述栅极绝缘膜邻接，所述电势调整区与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型，并且还是比该半导体基板和该光电转换区的所述导电型浓度低的杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 器件 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像器件，其包括：读出栅极，其隔着栅极绝缘膜嵌入在半导体基板中所形成的沟槽内；光电转换区，其在与所述栅极绝缘膜保持间隔的同时设置于所述半导体基板内部；浮动扩散部，其在与所述光电转换区保持间隔的同时而设置于所述半导体基板的表面层上；以及电势调整区，其布置为与所述光电转换区和所述栅极绝缘膜邻接，所述电势调整区与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型，并且还是比所述半导体基板和所述光电转换区的导电型浓度低的杂质区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
