[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

读出栅极，其隔着栅极绝缘膜嵌入在半导体基板中所形成的沟槽内；

光电转换区，其在与所述栅极绝缘膜保持间隔的同时设置于所述半导体基板内部；

浮动扩散部，其在与所述光电转换区保持间隔的同时而设置于所述半导体基板的表面层上；以及

电势调整区，其布置为与所述光电转换区和所述栅极绝缘膜邻接，所述电势调整区与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型，并且还是比所述半导体基板和所述光电转换区的导电型浓度低的杂质区。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电势调整区设置于与所述光电转换区同样深的位置处。

3.如权利要求1或2所述的固体摄像器件，其中，在所述半导体基板内部，沿深度方向层叠地布置有多个所述光电转换区，

并且其中，所述电势调整区设置为与所述多个光电转换区中的距离所述浮动扩散部最远的光电转换区相邻接。

4.如权利要求3所述的固体摄像器件，其中，在所述多个光电转换区中，与所述电势调整区邻接设置的光电转换区为红光用光电转换区。

5.如权利要求1或2所述的固体摄像器件，其中，所述读出栅极设置在以贯穿所述半导体基板的方式设置的沟槽内。

6.如权利要求1或2所述的固体摄像器件，其中，在所述半导体基板中，所述浮动扩散部布置在针对所述光电转换区的光接收面上。

7.如权利要求1或2所述的固体摄像器件，其中，所述半导体基板配置为与所述光电转换区和所述浮动扩散部为同一导电型。

8.如权利要求1或2所述的固体摄像器件，其中，在所述半导体基板内部，沿着所述沟槽的侧壁设有与所述光电转换区的导电型相反的钉扎区，

并且其中，所述电势调整区和所述钉扎区重叠的重叠区同时包括构成所述电势调整区的杂质以及构成所述钉扎区的杂质。

9.如权利要求8所述的固体摄像器件，其中，所述电势调整区的一部分设置为与所述钉扎区重叠。

10.一种固体摄像器件的制造方法，所述方法包括：

在半导体基板中导入杂质，从而在所述半导体基板内部形成光电转换区，并且还形成与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型的与所述光电转换区邻接的电势调整区，并且所述电势调整区的导电型浓度低于所述半导体基板和所述光电转换区的导电型浓度；

在所述半导体基板中形成在与所述光电转换区保持间隔的同时与所述电势调整区邻接的沟槽；

在所述沟槽内形成在与所述光电转换区保持间隔的同时隔着栅极绝缘膜的读出栅极；并且

在所述半导体基板的表面层中导入杂质，从而在所述半导体基板的表面层上形成在与所述光电转换区保持间隔的同时与所述读出栅极接近的浮动扩散部。

11.如权利要求10所述的固体摄像器件的制造方法，其中，通过贯穿所述半导体基板形成所述沟槽。

12.如权利要求10或11所述的固体摄像器件的制造方法，还包括：

在形成所述沟槽后而在形成所述栅极绝缘膜和所述读出栅极前，从所述沟槽的内壁将杂质导入所述半导体基板中，从而沿着所述沟槽的内壁形成与所述光电转换区的导电型相反的钉扎区。

13.如权利要求12所述的固体摄像器件的制造方法，其中，在所述钉扎区的形成中，所述钉扎区与所述电势调整区的一部分重叠。

14.一种电子设备，其包括：

读出栅极，其隔着栅极绝缘膜嵌入在半导体基板中所形成的沟槽内；

光电转换区，其在与所述栅极绝缘膜保持间隔的同时设置于所述半导体基板内部；

浮动扩散部，其在与所述光电转换区保持间隔的同时而设置于所述半导体基板的表面层上；

电势调整区，其布置为与所述光电转换区和所述栅极绝缘膜邻接，所述电势调整区与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型，并且还是比所述半导体基板和所述光电转换区的导电型浓度低的杂质区；以及

光学系统，其配置为将入射光导入至所述光电转换区中。