[发明专利]存储器件有效

专利信息
申请号: 201710090799.1 申请日: 2017-02-20
公开(公告)号: CN107104122B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 朴日穆;高宽协;姜大焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L21/82
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括:多条第一导电线,彼此间隔开并在第一方向上延伸;多条第二导电线,彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸;第一存储单元,具有包括选择器件层、中间电极层、可变电阻层和顶电极层的结构;以及绝缘结构,在第二方向上与第一存储单元交替地布置在第二导电线下面,其中该绝缘结构具有比顶电极层的顶表面高的顶表面,第二导电线具有包括凸起部分和凹入部分的结构,该凸起部分连接到顶电极层的顶表面并且该凹入部分在凸起部分之间容纳该绝缘结构。
搜索关键词: 存储 器件
【主权项】:
一种存储器件,包括:在基板上的多条第一导电线,所述多条第一导电线彼此间隔开并在第一方向上延伸;在所述多条第一导电线上的多条第二导电线,所述多条第二导电线彼此间隔开并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸;多个第一存储单元,分别布置在所述多条第一导电线和所述多条第二导电线之间的多个交叉点处,每个所述第一存储单元具有包括以下面陈述的次序顺序地层叠的第一选择器件层、第一中间电极层、第一可变电阻层和第一顶电极层的结构;以及多个第一绝缘结构,在所述第二方向上与所述多个第一存储单元交替地布置在所述多条第二导电线下面,其中:每个所述第一绝缘结构具有比所述第一顶电极层的顶表面高的顶表面,并且每条所述第二导电线具有包括多个凸起部分和多个凹入部分的结构,所述多个凸起部分连接到所述第一顶电极层的所述顶表面并且所述多个凹入部分在所述多个凸起部分之间容纳所述第一绝缘结构。
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