[发明专利]存储器件

说明书

本公开提供了存储器件。一种存储器件包括：多条第一导电线，彼此间隔开并在第一方向上延伸；多条第二导电线，彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，具有包括选择器件层、中间电极层、可变电阻层和顶电极层的结构；以及绝缘结构，在第二方向上与第一存储单元交替地布置在第二导电线下面，其中该绝缘结构具有比顶电极层的顶表面高的顶表面，第二导电线具有包括凸起部分和凹入部分的结构，该凸起部分连接到顶电极层的顶表面并且该凹入部分在凸起部分之间容纳该绝缘结构。

技术领域

实施方式涉及一种存储器件及其制造方法。

背景技术

为了满足对于重量轻且小的电子产品的不断增长的需求，会期望实现高度集成的半导体器件。其中存储单元位于两个相交的电极之间的交叉点处的3D交叉点堆叠存储器件(3D cross-point stack memory device)已经被考虑。

发明内容

实施方式可以通过提供一种存储器件来实现，该存储器件包括：在基板上的多条第一导电线，该多条第一导电线彼此间隔开并在第一方向上延伸；在所述多条第一导电线上的多条第二导电线，该多条第二导电线彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；多个第一存储单元，分别布置在所述多条第一导电线和所述多条第二导电线之间的多个交叉点处，每个第一存储单元具有包括以下面陈述的次序顺序地层叠的第一选择器件层、第一中间电极层、第一可变电阻层和第一顶电极层的结构；以及多个第一绝缘结构，在第二方向上与所述多个第一存储单元交替地布置在所述多条第二导电线下面，其中每个第一绝缘结构具有比第一顶电极层的顶表面高的顶表面，每条第二导电线具有包括多个凸起部分和多个凹入部分的结构，所述多个凸起部分连接到第一顶电极层的顶表面，所述多个凹入部分在所述多个凸起部分之间容纳第一绝缘结构。

实施方式可以通过提供一种存储器件来实现，该存储器件包括：在基板上的多条第一导电线，该多条第一导电线彼此间隔开并在第一方向上延伸；在所述多条第一导电线上的多条第二导电线，该多条第二导电线彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及多个第一存储单元，分别布置在所述多条第一导电线和所述多条第二导电线之间的多个交叉点处，所述多个第一存储单元的每个具有包括以下面陈述的次序顺序地层叠的第一选择器件层、第一中间电极层、第一可变电阻层和第一顶电极层的结构，其中第一顶电极层的厚度大于第一中间电极层的厚度。

实施方式可以通过提供一种制造存储器件的方法来实现，该方法包括：在基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成第一存储单元层叠结构，使得第一存储单元层叠结构包括第一选择器件层、第一中间电极层、第一可变电阻层和第一顶电极层；通过图案化第一存储单元层叠结构和第一电极层而形成多条第一存储单元层叠线和多条第一导电线，使得所述多条第一存储单元层叠线和所述多条第一导电线在第一方向上延伸，多个第一间隙分别形成在每两条相邻的第一存储单元层叠线之间以及在每两条相邻的第一导电线之间；形成填充所述多个第一间隙的多条第一绝缘线，使得所述多条第一绝缘线具有比所述多条第一存储单元层叠线的顶表面高的顶表面；在所述多条第一存储单元层叠线和所述多条第一绝缘线上形成第二电极层；以及通过图案化第二电极层、所述多条第一存储单元层叠线和所述多条第一绝缘线而形成多条第二导电线、多个第一存储单元以及多个第一绝缘结构，使得所述多条第二导电线在不同于第一方向的第二方向上延伸，所述多个第一存储单元分别布置在所述多条第一导电线与所述多条第二导电线之间的多个交叉点处，并且所述多个第一绝缘结构与所述多个第一存储单元交替地布置在所述多条第二导电线下面，其中所述多个第一绝缘结构的顶表面比所述多个第一存储单元的顶表面高。