[发明专利]基于垂直沟道的MISFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710087137.9 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106876467A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 董志华;张佩佩;张辉;蔡勇;刘国华;柯华杰;周涛;程知群 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 沟道 misfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于垂直沟道的MISFET器件，包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，其特征在于：所述MIS结构包括至少一半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。
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