[发明专利]蚀刻液组合物有效
| 申请号： | 201710086307.1 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107090581B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 尹景湖;申孝燮;金世训 | 申请（专利权）人： | 易安爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红;柯夏荷 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂和pH调节剂的蚀刻液组合物，其通过不包含氟类化合物并且pH为4以上，防止氧化物半导体在含铜和钼膜的蚀刻工艺中被蚀刻，从而使可能在蚀刻工艺中发生的不良最小化。此外，由于不需要以往为了确保氧化物半导体的稳定电气特性而应用的绝缘性保护层(蚀刻终止层)工艺，能够降低氧化物半导体TFT制造时的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
一种含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂和pH调节剂，所述蚀刻添加剂，以组合物的总重量计，包含0.01‑5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸、以及0.01‑5重量％的磷酸或磷酸盐，所述双氧水稳定剂以组合物的总重量计为0.01‑5重量％，所述蚀刻液组合物的pH为4至6。
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