[发明专利]一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710082164.7 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106801218A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州思创源博电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;C10M161/00;C10N40/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215009 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法，该制备方法采用在上下两层碳膜层之间插入一层银金属层，利用所插入的银金属薄层中的自由电子对对上下两层碳膜层的电子注入效应，提高薄膜材料中的电子载流子浓度和电子迁移率，达到显著降低碳薄膜材料的电阻率值，显著提高了碳薄膜材料的导电性能，并且所形成的碳/银/碳薄膜的结构稳定，性能可重复性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳银碳 半导体 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）基片处理将绝缘基片切削研磨后，依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗100‑150s；然后，取出、用干燥氮气吹干；（2）将处理后的绝缘基片装入托盘、放入真空腔，并将真空腔抽为高真空，在氮气环境下，将绝缘基片的温度调至150‑200℃，氮气气压调至5‑10Pa，采用直流磁控溅射技术，在恒定的35‑45W溅射功率条件下，利用电离出的氮离子轰击碳靶材，在所述绝缘基片的上表面上，沉积第一层碳膜层；（3）将沉积有第一层碳膜层的绝缘基片的温度调至50‑65℃，氮气气压调至1‑5Pa，采用直流磁控溅射技术，在恒定的40‑45W溅射功率条件下，利用电离出的离子轰击Ag金属靶材，在上述第一层碳膜层的表面上，再沉积一层Ag金属层；（4）将沉积有Ag金属层的绝缘基片的温度调至200‑250℃，氮气气压调至5‑10Pa，采用直流磁控溅射技术，在恒定的35‑40W溅射功率条件下，利用电离出的离子轰击碳靶材，在上述Ag膜层的表面上，再第二层碳膜层，得到碳银碳半导体薄膜材料。
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