[发明专利]一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法

权利要求书

1. 一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）基片处理

将绝缘基片切削研磨后，依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗100-150s；然后，取出、用干燥氮气吹干；

（2）将处理后的绝缘基片装入托盘、放入真空腔，并将真空腔抽为高真空，在氮气环境下，将绝缘基片的温度调至150-200℃，氮气气压调至5-10Pa，采用直流磁控溅射技术，在恒定的35-45W溅射功率条件下，利用电离出的氮离子轰击碳靶材，在所述绝缘基片的上表面上，沉积第一层碳膜层；

（3）将沉积有第一层碳膜层的绝缘基片的温度调至50-65℃，氮气气压调至1-5Pa，采用直流磁控溅射技术，在恒定的40-45W溅射功率条件下，利用电离出的离子轰击Ag金属靶材，在上述第一层碳膜层的表面上，再沉积一层Ag金属层；

（4）将沉积有Ag金属层的绝缘基片的温度调至200-250℃，氮气气压调至5-10Pa，采用直流磁控溅射技术，在恒定的35-40W溅射功率条件下，利用电离出的离子轰击碳靶材，在上述Ag膜层的表面上，再第二层碳膜层，得到碳银碳半导体薄膜材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤（1）中，所述切削需利用切削液进行，该切削液采用如下工艺制得：

向水中依次加入聚乙二醇、羟乙基乙二胺、三乙醇胺，混合均匀，静置20min，再加入FA/QB螯合剂，混合搅拌均匀，静置30min，得到切削液，其中切削液的各组分的重量百分比为：聚乙二醇15-25%，羟乙基乙二胺20-25%，三乙醇胺5-10%，FA/QB螯合剂10-15%，余量为水。