[发明专利]一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201710081998.6 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106784200B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨路华;陈勘;闫秋迎;魏萍 | 申请（专利权）人： | 西安中为光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) 11458 | 代理人： | 邓金涛 |
| 地址： | 710000 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其技术要点是：通过对晶圆进行化学抛光、生长粘附层、贴膜、隐形切割、翻转、背镀金属反射层和裂片，最终制得LED芯片，其中隐形切割时将晶圆和白膜粘接使隐形切割过程中因激光烧灼，蓝宝石衬底气化膨胀产生的杂质不会大面积喷在晶圆背面，只会存在于裂纹中，降低了背面污染，从而降低背镀层脱落几率，通过在蓝宝石衬底上生长粘附层，降低背镀层脱落概率由原先的20%降低至0.5%，部分光会在交界出形成全发射，一定程度上提高LED的出光效率，提升效果在10%左右。这种方法解决了现有隐形切割与背镀工艺中反射层脱落率高，LED发光效率不理想的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隐形 切割 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：a.沉淀粘附层：在晶圆背面沉淀粘附层(7)；b.贴膜：将晶圆正面朝上，背面粘附上白膜；c.隐形切割：对贴膜后的晶圆进行隐形切割；d.翻转：将隐形切割后晶圆翻转在另一张白膜上，在将晶圆所在区域，连同白膜一起剪下；e.背镀金属反射层：在晶圆背面沉淀粘附层(7)上镀一层金属反射层(8)；f.裂片：将晶圆裂片成单一的LED芯片。
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