[发明专利]一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

a.沉淀粘附层：在晶圆背面沉淀粘附层(7)；

b.贴膜：将晶圆正面朝上，背面粘附上白膜；

c.隐形切割：对贴膜后的晶圆进行隐形切割；

d.翻转：将隐形切割后晶圆翻转在另一张白膜上，在将晶圆所在区域，连同白膜一起剪下；

e.背镀金属反射层：在晶圆背面沉淀粘附层(7)上镀一层金属反射层(8)；

f.裂片：将晶圆裂片成单一的LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a中，通过PECVD技术在晶圆的背面蓝宝石衬底(6)上沉淀粘附层(7)。

3.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a中，粘附层(7)为SiO₂粘附层或者Si₃N₄粘附层。

4.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a中，粘附层(7)厚度为10～230nm。

5.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤c中,隐形切割中，激光脉冲频率为20～120Hz，划片速度为40～200mm/s。

6.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤e中，金属反射层(8)为Al反射层或者Ag反射层，金属反射层(8)厚度为100～500nm。

7.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a之前，还有步骤a1，抛光，通过化学抛光的方法对厚度为40～200μm的晶圆进行抛光，降低晶圆背面粗糙度。

8.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：制得的LED芯片包括蓝宝石衬底(6)，位于蓝宝石衬底(6)下方的沉淀粘附层(7)，位于沉淀粘附层(7)下方的金属反射层(8)，位于蓝宝石衬底(6)上方的P-GaN层(1)、P-Pad层(2)、N-GaN层(3)和N-Pad层(4)，其中P-GaN层(1)和N-GaN层(3)之间设有量子阱(9)，蓝宝石衬底(6)中经过隐形切割后存在激光灼烧点(5)。