[发明专利]一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法

说明书

本发明涉及半导体加工领域，公开了一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其技术要点是：通过对晶圆进行化学抛光、生长粘附层、贴膜、隐形切割、翻转、背镀金属反射层和裂片，最终制得LED芯片，其中隐形切割时将晶圆和白膜粘接使隐形切割过程中因激光烧灼，蓝宝石衬底气化膨胀产生的杂质不会大面积喷在晶圆背面，只会存在于裂纹中，降低了背面污染，从而降低背镀层脱落几率，通过在蓝宝石衬底上生长粘附层，降低背镀层脱落概率由原先的20%降低至0.5%，部分光会在交界出形成全发射，一定程度上提高LED的出光效率，提升效果在10%左右。这种方法解决了现有隐形切割与背镀工艺中反射层脱落率高，LED发光效率不理想的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体的讲是一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法。

背景技术

隐形切割是一种最近几年开始应用于LED的激光划片技术，是通过减少LED侧面烧伤面积，降低由于激光灼烧产生的吸光物质对LED芯片发出光的吸收，达到提高LED出光效率的。隐形切割技术可以用来替代传统的表面切割技术，相比传统切割技术，隐形切割技术可以提高产品亮度7%左右，提高产品外观良率0.5%左右。具体的隐切是利用激光聚焦在LED芯片内部，以一定频率，灼烧蓝宝石衬底瞬间气化，膨胀，将芯片切割开的方法。而表切技术是利用激光在芯片表面灼烧切开LED芯片。由于衬底灼烧后会产生黑色的吸光物质，吸收LED发出的光，两种方法对比表切技术产生的灼烧面积更大，一般深度为20-40微米，而隐切产生的灼烧深度为10微米左右，而且是由于采用脉冲激光，其灼烧是间断的灼烧，灼烧面积远小于表切。

背镀工艺目前主要是为了提高LED芯片正面的出光，而采用了在芯片的背面背镀一层金属反射层或者DBR反射层+金属反射层来，将LED芯片量子阱发出的反向的光反射回出光面，达到提高出光效率的方法，目前广泛应用在LED生产中。

为了将尽可能的提高LED芯片的出光效率，目前多数厂家将隐形切割工艺和背镀工艺结合在一起使用，但由于背镀工艺本身有一定的背镀层脱落问题，加之隐形切割时，激光灼烧位置衬底气化膨胀，部分灼烧的粉末喷出，导致晶圆背面污染，镀反射层时更加镀层更加容易脱落。实验数据反射层脱落面积达到25%以上。

因此需要一种加工工艺简单，能够大幅降低LED产品镀层脱落率与提高LED发光效率的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法。

发明内容

本发明针对现有隐形切割与背镀工艺中反射层脱落率高，LED发光效率不理想的问题，提供一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法。

本发明解决上述技术问题，采用的技术方案是，包括以下步骤：

a.生长粘附层：在晶圆背面生长粘附层；

b.贴膜：将晶圆正面朝上，背面粘附在白膜上；

c.隐形切割：对贴膜后的晶圆进行隐形切割；

d.翻转：将隐形切割后晶圆正面朝下，背面朝上翻转在另一张白膜上，在将晶圆所在区域，连同白膜一起剪下。

e.背镀金属反射层：在晶圆背面生长粘附层上镀一层金属反射层；

f.裂片：将晶圆裂片成单一的LED芯片。

进一步的，步骤a中，通过PECVD技术在晶圆的背面蓝宝石衬底上生长粘附层。

可选的，步骤a中，粘附层为SiO₂粘附层或者Si₃N₄粘附层。

可选的，粘附层厚度为10～230nm。