[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201710080450.X 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN107093578A 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 芳野知辉;诸德寺匠 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/683;B23K26/53
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供晶片的加工方法,在沿着分割预定线将晶片分割成各个器件时,能够防止因器件彼此的接触而导致的器件的损伤。一种晶片的加工方法,该晶片的加工方法包含如下的工序框架支承工序,将晶片粘贴在周缘部被固定在框架上的粘合带上,从而借助粘合带而利用框架对晶片进行支承;激光加工工序,对分割预定线照射激光光线,从而沿着分割预定线形成强度降低部;以及分割工序,在使放射状张力作用于粘合带的状态下对晶片施加外力,从而沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,将正面被交叉形成的多条分割预定线划分成多个区域并在该多个区域的各个内形成有器件的晶片沿着该分割预定线分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:框架支承工序,将该晶片粘贴在周缘部被固定在环状框架上的粘合带上,从而借助该粘合带而利用该环状框架对该晶片进行支承;激光加工工序,对该分割预定线照射激光光线,从而沿着该分割预定线形成强度降低部;以及分割工序,在使放射状张力作用于该粘合带的状态下对该晶片施加外力,从而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个器件芯片。
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