[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201710080450.X | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107093578A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 芳野知辉;诸德寺匠 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法，将正面被交叉形成的多条分割预定线划分成多个区域并在该多个区域的各个内形成有器件的晶片沿着该分割预定线分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：
框架支承工序，将该晶片粘贴在周缘部被固定在环状框架上的粘合带上，从而借助该粘合带而利用该环状框架对该晶片进行支承；
激光加工工序，对该分割预定线照射激光光线，从而沿着该分割预定线形成强度降低部；以及
分割工序，在使放射状张力作用于该粘合带的状态下对该晶片施加外力，从而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该框架支承工序中，将该晶片的背面粘贴在该粘合带上。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割工序中，将该晶片载置在柔软性部件上，并通过辊对该晶片施加外力。
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割工序中，将具有圆筒形内周面的第1框部件配置在该粘合带的一个面上，并且将具有与该第1框部件的该圆筒形内周面对应的圆筒形外周面的第2框部件配置在该粘合带的另一个面上，利用该第1框部件和该第2框部件将该粘合带夹住，从而使放射状张力作用于该粘合带。
5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该激光加工工序中，将聚光点定位在该晶片的内部，并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线，从而沿着该分割预定线在该晶片的内部形成改质层。
6.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该激光加工工序中，将聚光点定位在该晶片的内部，并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线，从而沿着该分割预定线形成盾构隧道。
7.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该激光加工工序中，将聚光点定位在该晶片的上表面，并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着该分割预定线在该晶片的上表面形成加工槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
