[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201710080450.X 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN107093578A 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 芳野知辉;诸德寺匠 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/683;B23K26/53
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法,对正面被多条分割预定线划分成多个区域并在多个区域的各个内形成有器件的晶片沿着分割预定线进行分割。

背景技术

在下述专利文献1中公开了如下方法:对正面被多条分割预定线划分成多个区域并在多个区域的各个内形成有IC或LSI、LED等器件的晶片沿着分割预定线进行分割。在该方法中,首先,将晶片粘贴在周缘部被固定在框架上的粘合带上,由此,借助粘合带将晶片支承在框架上。接着,将聚光点定位在晶片的内部,并沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线,由此,沿着分割预定线形成强度降低部。接着,对粘贴有晶片的粘合带施加放射状张力,由此,沿着分割预定线将晶片分割成各个器件。

专利文献1:日本特开2014-221483号公报

在上述专利文献1所公开的方法中,当沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片时,担心夹着分割预定线而相邻的器件芯片间的距离局部地变窄,因器件芯片彼此接触而使器件芯片损伤。

发明内容

因此,本发明的目的在于,提供晶片的加工方法,在沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片时,能够防止因器件芯片彼此的接触而导致的器件芯片的损伤。

根据本发明,提供晶片的加工方法,将正面被交叉形成的多条分割预定线划分成多个区域并在该多个区域的各个内形成有器件的晶片沿着该分割预定线分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:框架支承工序,将该晶片粘贴在周缘部被固定在环状框架上的粘合带上,从而借助该粘合带而利用该环状框架对该晶片进行支承;激光加工工序,对该分割预定线照射激光光线,从而沿着该分割预定线形成强度降低部;以及分割工序,在使放射状张力作用于该粘合带的状态下对该晶片施加外力,从而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个器件芯片。

优选在该框架支承工序中,将该晶片的背面粘贴在该粘合带上。在该分割工序中,优选将该晶片载置在柔软性部件上,并通过辊对该晶片施加外力。在该分割工序中,优选将具有圆筒形内周面的第1框部件配置在该粘合带的一个面上,并且将具有与该第1框部件的该圆筒形内周面对应的圆筒形外周面的第2框部件配置在该粘合带的另一个面上,利用该第1框部件和该第2框部件将该粘合带夹住,由此,使放射状张力作用于该粘合带。在该激光加工工序中,优选将聚光点定位在该晶片的内部,并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线,从而沿着该分割预定线在该晶片的内部形成改质层。在该激光加工工序中,优选将聚光点定位在该晶片的内部,并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线,从而沿着该分割预定线形成盾构隧道。在该激光加工工序中,优选将聚光点定位在该晶片的上表面,并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线,从而沿着该分割预定线在该晶片的上表面形成加工槽。

根据本发明的晶片的加工方法,在沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片时,由于对粘合带作用有放射状张力,所以即使对晶片施加外力也不会使相邻的器件芯片间的距离变窄,能够防止因器件芯片彼此的接触而导致的器件芯片的损伤。

附图说明

图1是晶片的立体图。

图2是示出借助粘合带将图1所示的晶片支承在环状框架上的状态的立体图。

图3是示出实施激光加工工序的状态的立体图。

图4是张力产生装置的立体图。

图5的(a)和(b)是示出通过图4所示的张力产生装置使放射状张力作用于粘合带时的状态的剖视图。

图6是示出通过切断器具将具有强度降低部的晶片分割成各个器件芯片的状态的立体图。

图7是第1框部件和第2框部件的立体图。

图8是示出通过图7所示的第1、第2框部件使放射状张力作用于粘合带的状态的剖视图。

标号说明

2:晶片;4:晶片的正面;6:分割预定线;8:器件;10:环状框架;12:粘合带;28:强度降低部;44:辊;48:第1框部件;50:第2框部件。

具体实施方式

以下,一边参照附图一边对本发明的晶片的加工方法的实施方式进行说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710080450.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top