[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201710080450.X | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107093578A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 芳野知辉;诸德寺匠 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;B23K26/53 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法,对正面被多条分割预定线划分成多个区域并在多个区域的各个内形成有器件的晶片沿着分割预定线进行分割。
背景技术
在下述专利文献1中公开了如下方法:对正面被多条分割预定线划分成多个区域并在多个区域的各个内形成有IC或LSI、LED等器件的晶片沿着分割预定线进行分割。在该方法中,首先,将晶片粘贴在周缘部被固定在框架上的粘合带上,由此,借助粘合带将晶片支承在框架上。接着,将聚光点定位在晶片的内部,并沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线,由此,沿着分割预定线形成强度降低部。接着,对粘贴有晶片的粘合带施加放射状张力,由此,沿着分割预定线将晶片分割成各个器件。
专利文献1:日本特开2014-221483号公报
在上述专利文献1所公开的方法中,当沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片时,担心夹着分割预定线而相邻的器件芯片间的距离局部地变窄,因器件芯片彼此接触而使器件芯片损伤。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供晶片的加工方法,在沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片时,能够防止因器件芯片彼此的接触而导致的器件芯片的损伤。
根据本发明,提供晶片的加工方法,将正面被交叉形成的多条分割预定线划分成多个区域并在该多个区域的各个内形成有器件的晶片沿着该分割预定线分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:框架支承工序,将该晶片粘贴在周缘部被固定在环状框架上的粘合带上,从而借助该粘合带而利用该环状框架对该晶片进行支承;激光加工工序,对该分割预定线照射激光光线,从而沿着该分割预定线形成强度降低部;以及分割工序,在使放射状张力作用于该粘合带的状态下对该晶片施加外力,从而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个器件芯片。
优选在该框架支承工序中,将该晶片的背面粘贴在该粘合带上。在该分割工序中,优选将该晶片载置在柔软性部件上,并通过辊对该晶片施加外力。在该分割工序中,优选将具有圆筒形内周面的第1框部件配置在该粘合带的一个面上,并且将具有与该第1框部件的该圆筒形内周面对应的圆筒形外周面的第2框部件配置在该粘合带的另一个面上,利用该第1框部件和该第2框部件将该粘合带夹住,由此,使放射状张力作用于该粘合带。在该激光加工工序中,优选将聚光点定位在该晶片的内部,并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线,从而沿着该分割预定线在该晶片的内部形成改质层。在该激光加工工序中,优选将聚光点定位在该晶片的内部,并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线,从而沿着该分割预定线形成盾构隧道。在该激光加工工序中,优选将聚光点定位在该晶片的上表面,并沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线,从而沿着该分割预定线在该晶片的上表面形成加工槽。
根据本发明的晶片的加工方法,在沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片时,由于对粘合带作用有放射状张力,所以即使对晶片施加外力也不会使相邻的器件芯片间的距离变窄,能够防止因器件芯片彼此的接触而导致的器件芯片的损伤。
附图说明
图1是晶片的立体图。
图2是示出借助粘合带将图1所示的晶片支承在环状框架上的状态的立体图。
图3是示出实施激光加工工序的状态的立体图。
图4是张力产生装置的立体图。
图5的(a)和(b)是示出通过图4所示的张力产生装置使放射状张力作用于粘合带时的状态的剖视图。
图6是示出通过切断器具将具有强度降低部的晶片分割成各个器件芯片的状态的立体图。
图7是第1框部件和第2框部件的立体图。
图8是示出通过图7所示的第1、第2框部件使放射状张力作用于粘合带的状态的剖视图。
标号说明
2:晶片;4:晶片的正面;6:分割预定线;8:器件;10:环状框架;12:粘合带;28:强度降低部;44:辊;48:第1框部件;50:第2框部件。
具体实施方式
以下,一边参照附图一边对本发明的晶片的加工方法的实施方式进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造