[发明专利]防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法

摘要

一种防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，包括：第一步骤：执行闪存制造工艺，直到执行完制栅极多晶硅刻蚀；第二步骤：湿法去除控制栅极氮化硅介质层；第三步骤：执行快速热氧化以形成覆盖控制栅极侧墙的保护氧化膜，其中所述保护氧化膜用于防止所述重掺杂控制栅极多晶硅中的磷在空气中形成磷酸对控制栅的腐蚀；第四步骤：执行预清洗处理，以去除所述的热氧化膜以及有关颗粒；第五步骤：执行高温氧化层和氮化层沉积和蚀刻处理以形成外部栅极侧墙。本发明在氮化硅湿法剥离工艺之后执行快速热氧化以形成覆盖控制栅极侧墙的氧化膜；该氧化膜可以防止磷在空气中形成磷酸，从而避免引起控制栅极多晶硅腐蚀，从而最终避免形成控制栅极空洞。

主权项

一种防止闪存单元控制栅极空洞的工艺制造方法，其特征在于包括：第一步骤：执行闪存制造工艺，直到执行完制栅极多晶硅刻蚀；第二步骤：湿法去除控制栅极氮化硅介质层；第三步骤：执行快速热氧化以形成覆盖控制栅极侧墙的保护氧化膜，其中所述保护氧化膜用于防止所述重掺杂控制栅极多晶硅中的磷在空气中形成磷酸对控制栅的腐蚀；第四步骤：执行预清洗处理，以去除所述的热氧化膜以及有关颗粒；第五步骤：执行高温氧化层和氮化层沉积和蚀刻处理以形成外部栅极侧墙。