[发明专利]全无机QLED显示器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710078219.7 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106784199B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘代明;宋志成;刘卫东 | 申请（专利权）人： | 青岛海信电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 邢雪红;乔彬 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种全无机QLED显示器件及其制备方法，该全无机QLED显示器件包括：阳极，阴极和位于该阳极与该阴极之间的空穴传输层、电子传输层以及量子点发光层；该空穴传输层是由位于该阳极上的第一空穴传输层和位于该第一空穴传输层上的第二空穴传输层组成，该第一空穴传输层的材料为氧化钨，该第二空穴传输层的材料为氧化亚铜。本发明能够大大提高器件的稳定性和发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 qled 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全无机QLED显示器件，其特征在于，包括：阳极，阴极和位于该阳极与该阴极之间的空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层；其中，该空穴传输层是由位于该阳极上的第一空穴传输层和位于该第一空穴传输层上的第二空穴传输层组成，该第一空穴传输层的材料为氧化钨，该第二空穴传输层的材料为氧化亚铜。
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