[发明专利]全无机QLED显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种全无机QLED显示器件，其特征在于，包括：阳极，阴极和位于该阳极与该阴极之间的空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层；其中，该空穴传输层是由位于该阳极上的第一空穴传输层和位于该第一空穴传输层上的第二空穴传输层组成，该第一空穴传输层的材料为氧化钨，该第二空穴传输层的材料为氧化亚铜。

2.依据权利要求1所述的全无机QLED显示器件，其特征在于，该第一空穴传输层的厚度为5nm～20nm。

3.依据权利要求1所述的全无机QLED显示器件，其特征在于，该第二空穴传输层的厚度为50nm～100nm。

4.依据权利要求1至3任一项所述的全无机QLED显示器件，其特征在于，该量子点发光层的材料为硒化镉、碲化镉、氧化锌、硫化锌、硒化锌、碲化锌、砷化镓、硫化汞、砷化铟、锑化铟、磷化铟、硅、钙钛矿中的至少一种，其厚度为10nm～100nm。

5.依据权利要求1至3任一项所述的全无机QLED显示器件，其特征在于，该电子传输层的材料为氧化锌，其厚度为40nm～120nm。

6.一种全无机QLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对作为阳极的ITO基板进行清洗；

将氧化钨附着于ITO基板表面，形成第一空穴传输层；

将氧化亚铜沉淀在第一空穴传输层上，形成第二空穴传输层；

将量子点发光层旋涂在第二空穴传输层上；

在量子点发光层上沉淀电子传输层；以及

在电子传输层上形成金属阴极。

7.依据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的将氧化钨附着于ITO基板表面，形成第一空穴传输层的步骤，具体包括：首先，将化合物前驱体乙醇钨在甲醇溶液中搅拌12小时得到均匀的前驱液；然后，将前驱液以3000转/分钟的速度，旋涂在ITO基板上，旋涂时间为30秒；接着，将处理后的基板进行热处理。

8.依据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的将氧化亚铜沉淀在第一空穴传输层上，形成第二空穴传输层的步骤，具体包括：首先，在衬底上旋涂一层CuI的乙腈或者N,N-二甲基甲酰胺溶液，将衬底在80℃的加热台上热处理10分钟以蒸发掉溶剂；然后，再将衬底浸入NaOH溶液中生成Cu₂O；随后，用水冲洗，在氮气环境下晾干后，在100℃加热10分钟。

9.依据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的将量子点发光层旋涂在第二空穴传输层上的步骤，具体包括：待基板冷却后，在第二空穴传输层上利用旋涂工艺，旋涂量子点发光层；旋涂完成后，将器件放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。

10.依据权利要求6至9任一项所述的制备方法，其特征在于：所述的在量子点发光层上沉淀电子传输层的步骤，具体包括：首先，将氧化锌纳米颗粒分散在乙醇中，其中氧化锌纳米颗粒的浓度为50mg/mL；然后，将分散在乙醇中的氧化锌纳米颗粒以2000转/分钟的速度，旋涂在量子点发光层表面；旋涂完成后将器件放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。