[发明专利]全无机QLED显示器件及其制备方法

说明书

一种全无机QLED显示器件及其制备方法，该全无机QLED显示器件包括：阳极，阴极和位于该阳极与该阴极之间的空穴传输层、电子传输层以及量子点发光层；该空穴传输层是由位于该阳极上的第一空穴传输层和位于该第一空穴传输层上的第二空穴传输层组成，该第一空穴传输层的材料为氧化钨，该第二空穴传输层的材料为氧化亚铜。本发明能够大大提高器件的稳定性和发光亮度。

技术领域

本发明涉及电致发光器件，尤其涉及QLED显示器件。

背景技术

QLED显示器件(Quantum dot light-emitting diode，量子点电致发光二极管)是一种电致发光器件。在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入量子点发光层的价带能级和导带能级，当从激发态而回到稳定的基态时，释放出光子。与QD-BEF(Quantum Dots-Brightness Enhancement Film，量子点增量膜)和QD-CF(Quantum Dots-Color Filter，量子点彩色滤光片)不同，QLED显示器件是电驱动量子点自身发光，并通过混色产生图像，不再需要液晶、彩膜，也省去了背光单元。

QLED显示器件与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电激光显示)显示器件的发光原理和结构组成有一定的相似性，但在材料属性和性能方面，QLED显示器件相比于OLED显示器件更具优势：量子点晶体为非有机物，性质更稳定；工艺流程相对简单；量子点发光的窄光谱特性；更低能耗。随着研究的深入，QLED显示器件的外量子效率也逐年提高，以红光QLED显示器件为例，其最高EQE(External Quantum Efficiency,外量子效率)已达20.8％，接近已经推向量产的OLED显示器件的EQE(25％-28％)，有望成为新一代高色彩质量、低功耗的平板显示技术。

目前，发光效率较高的QLED显示器件的叠层结构主要包括：电极，空穴传输层，电子传输层与量子点发光层。其中，空穴传输层材料多为有机材料，其中PEDOT:PSS(聚3，4-乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐)因为具有高导电性、高透光性以及良好的旋涂成膜性，应用最为广泛。电子传输层多采用无机材料，例如：ZnO(氧化锌)。量子点电致发光层作为芯层置于两者中间。然而PEDOT:PSS本身易吸水潮解并且其本身的酸性会腐蚀ITO(Indium TinOxides，氧化铟锡)层，从而影响到显示器件的稳定性。另外，有机空穴材料的导电性较低，流经器件的电流密度较小，亮度效率偏低。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服上述现有技术存在的不足，而提出一种全无机QLED显示器件的叠层结构，能够大大提高器件的稳定性和发光亮度。

本发明针对上述技术问题而提出的技术方案包括，提出一种全无机QLED显示器件，包括：阳极，阴极和位于该阳极与该阴极之间的空穴传输层、电子传输层以及量子点发光层；该空穴传输层是由位于该阳极上的第一空穴传输层和位于该第一空穴传输层上的第二空穴传输层组成，该第一空穴传输层的材料为氧化钨，该第二空穴传输层的材料为氧化亚铜。

本发明针对上述技术问题而提出的技术方案还包括，提出一种全无机QLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：

对作为阳极的ITO基板进行清洗；

将氧化钨附着于ITO基板表面，形成第一空穴传输层；

将氧化亚铜沉淀在第一空穴传输层上，形成第二空穴传输层；

将量子点发光层旋涂在第二空穴传输层上；

在量子点发光层上沉淀电子传输层；以及

在电子传输层上形成金属阴极。