[发明专利]一种用于IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置在审
| 申请号： | 201710076816.6 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106885924A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 安彤;别晓锐;秦飞;赵静毅;方超 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R1/04 | 分类号： | G01R1/04;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置，其特征在于包括支撑墙、凹槽和定位孔。本发明所述的定位装置，结构简单，使用方便，将所述的定位装置扣于被测IGBT芯片表面，并将测量探针插入定位孔并与芯片表面接触，从而实现测量探针的精确定位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 igbt 芯片 表面 金属化 层方阻 测量 定位 装置 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置，其特征在于包括支撑墙(100)、凹槽(101)和定位孔(102)；所述支撑墙(100)距离所述凹槽(101)底部的高度为2mm；所述凹槽(101)尺寸为13cm×13cm；所述凹槽(101)底部均布有定位孔(102)阵列；定位孔(102)阵列为8×8阵列；所述定位孔(102)直径为0.51mm；所述定位孔(102)阵列的节距为1.5mm。
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