[发明专利]一种用于IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置。

背景技术

目前，在测量类似于IGBT芯片表面铝金属化层等薄膜结构的方阻时，通常采用四探针法进行测量，包括常规四探针法、双位四探针法和方形四探针法等。但无论采用何种四探针法，都需要对探针的测量位置进行定位，尤其对于常规四探针法，需要保证四个探针在测量样品表面呈直线排列，并且探针之间的距离相等。然而，一般的标准结构探针台无法将探针在测量样品表面进行精确定位，更无法保证探针之间的距离相等。

发明内容

为了改善上述问题，本发明的目的在于提供一种用于IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置，其特征在于包括支撑墙(100)、凹槽(101)和定位孔(102)；

所述支撑墙(100)距离所述凹槽(101)底部的高度为2mm；

所述凹槽(101)尺寸为13cm×13cm；

所述凹槽(101)底部均布有定位孔(102)阵列；

所述定位孔(102)直径为0.51mm；定位孔(102)阵列为8×8阵列。

所述定位孔(102)阵列的节距为1.5mm；

进一步地，所述的定位装置，其长宽高尺寸为15cm×15cm×3cm。

进一步地，所述的定位装置，其材料为透明树脂材料。

进一步地，所述的定位装置，其特征在于既可以用于常规四探针法和双位四探针法测量IGBT芯片表面铝金属化层方阻的定位，还可以用于方形四探针法测量IGBT芯片表面铝金属化层方阻的定位。

本发明的有益效果是：

本发明所述的定位装置，结构简单，使用方便，将所述的定位装置扣于被测IGBT芯片表面，并将测量探针插入定位孔并与芯片表面接触，从而实现测量探针的精确定位。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

结合附图，做以下说明：

图中标号说明

100-支撑墙

101-凹槽

102-定位孔

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

实施例

如图1所示，一种IGBT芯片表面铝金属化层方阻测量的定位装置，其特征在于包括支撑墙(100)、凹槽(101)和定位孔(102)；

所述支撑墙(100)距离所述凹槽(101)底部的高度为2mm；

所述凹槽(101)尺寸为13cm×13cm；

所述凹槽(101)底部均布有定位孔(102)阵列；

所述定位孔(102)直径为0.51mm；

所述定位孔(102)阵列的节距为1.5mm；

进一步地，所述的定位装置，其长宽高尺寸为15cm×15cm×3cm。

进一步地，所述的定位装置，其材料为透明树脂材料。

进一步地，所述的定位装置，其特征在于定位孔(102)阵列为8×8阵列。

进一步地，所述的定位装置，其特征在于既可以用于常规四探针法和双位四探针法测量IGBT芯片表面铝金属化层方阻的定位，还可以用于方形四探针法测量IGBT芯片表面铝金属化层方阻的定位。

虽然本发明实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。