[发明专利]一种氧化镓基金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710072915.7 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106876466B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 梁红伟;夏晓川 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制备技术领域，提供了一种氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。以半绝缘氧化镓单晶为基体，其表面依次为非掺杂氧化镓层、锡层和图形化锡层；未被图形化锡层覆盖的锡层表面为氧化物介质层，氧化物介质层与图形化锡层间形成开口，开口数量是成对的，开口区域小于图形化锡层区域；开口区域的表面依次为钛层和金层，分别作为源电极和漏电极；氧化物介质层表面依次为钛层和金层，作为栅电极。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的制备难题，实现新型氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的研制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 基金 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，以半绝缘氧化镓单晶为基体，其表面依次为非掺杂氧化镓层、锡层和图形化锡层；未被图形化锡层覆盖的锡层表面为氧化物介质层，氧化物介质层与图形化锡层间形成开口，开口数量是成对的，开口区域小于图形化锡层区域；开口区域的表面依次为钛层和金层，分别作为源电极和漏电极；氧化物介质层表面依次为钛层和金层，作为栅电极；其中，锡层即为锡原子扩散轻掺杂氧化镓层，图形化锡层即为锡原子扩散重掺杂氧化镓层；所述的非掺杂氧化镓层的厚度为10nm～100μm；所述的锡层的厚度为1nm～1mm；所述的图形化锡层的厚度为1nm～1mm；所述的氧化物介质层的厚度为1nm～10μm；所述的钛层的厚度为1nm～10μm；所述的金层的厚度为1nm～10μm。
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