[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710069219.0 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400158B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法，所述鳍式场效应管的形成方法包括：提供衬底，衬底上具有多个鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；在所述鳍部之间形成隔离层，沿鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第一隔离层，沿垂直鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第二隔离层；去除部分厚度的第一隔离层；在剩余第一隔离层上形成隔离结构；形成所述隔离结构之后，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部中形成阱；减薄所述隔离结构和隔离层。本发明形成的鳍式场效应管的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，衬底上具有多个鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；在所述鳍部之间形成隔离层，沿鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第一隔离层，沿垂直鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第二隔离层；去除部分厚度的第一隔离层；在剩余第一隔离层上形成隔离结构；形成所述隔离结构之后，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部中形成阱；减薄所述隔离结构和隔离层。
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