[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，衬底上具有多个鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；

在所述鳍部之间形成隔离层，沿鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第一隔离层，沿垂直鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第二隔离层；

去除部分厚度的第一隔离层；

在剩余第一隔离层上形成隔离结构；

形成所述隔离结构之后，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部中形成阱；

减薄所述隔离结构和隔离层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在所述鳍部之间形成隔离层的步骤之后，去除部分厚度的第一隔离层的步骤之前，所述形成方法还包括：在所述鳍部和所述隔离层上形成初始图形层，所述初始图形层具有图形开口，所述图形开口露出部分鳍部之间的第一隔离层；

去除部分厚度的第一隔离层的步骤包括：以所述初始图形层为掩膜去除部分厚度的第一隔离层，剩余第一隔离层与所述初始图形层围成开口；

形成隔离结构的步骤包括：在所述开口中形成隔离结构。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在所述开口中形成所述隔离结构的步骤包括：

在所述开口中填充隔离材料层，所述隔离材料层顶部高于所述初始图形层顶部；

采用退火工艺处理所述隔离材料层；

平坦化所述隔离材料层，形成所述隔离结构，所述隔离结构顶部与所述初始图形层顶部齐平。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，填充所述隔离材料层的工艺为高宽深比化学气相沉积。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述高宽深比化学气相沉积的工艺参数包括：在温度为30摄氏度至90摄氏度下，通入NH₃和O₂，通入气体的流量为20sccm至10000sccm，压强为0.01torr至100torr。

6.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的参数包括：温度为800摄氏度至1100摄氏度；退火时间为5分钟至100分钟。

7.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在剩余第一隔离层上形成隔离结构的步骤之后，对所述鳍部进行离子注入，在所述鳍部中形成阱的步骤之前，所述形成方法还包括：去除部分厚度的初始图形层，使剩余初始图形层顶部低于所述隔离结构顶部，形成图形层；

形成阱的步骤包括：对所述图形层下方的鳍部进行离子注入，在所述鳍部中形成阱。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述图形层的厚度在100埃至400埃的范围内。

9.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述图形层的材料为氮化硅。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述形成阱的步骤包括：对所述鳍部进行离子注入；对离子注入后的所述鳍部进行退火处理。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理的步骤中，退火温度为950摄氏度至1050摄氏度，时间为5s至30s。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，对所述鳍部进行离子注入的步骤包括：所述注入离子为磷离子，所述磷离子注入能量为100kev至250kev，注入剂量为1.0E13atom/cm²至4.0E14atom/cm²；

或者，所述注入离子为硼离子，所述硼离子注入能量为30kev至100kev，注入剂量为1.0E13atom/cm²至4.0E14atom/cm²。