[发明专利]抗硫化的晶片电阻及其制法有效
| 申请号： | 201710069081.4 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108399992B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 王高源;方惠梅 | 申请（专利权）人： | 东莞华科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/032;H01C1/148;H01C17/00 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 523799 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种抗硫化的晶片电阻及其制法，晶片电阻包含基板、两上电极层、电阻层、第一保护层、两抗硫化构件、第二保护层与两端电极构件；两上电极与电阻层设置于基板上，电阻层的两端部分别迭接于两上电极层的电阻迭接区域，第一保护层局部覆盖该电阻层，各抗硫化构件设置于对应的上电极层的非电阻迭接区域、电阻层外露于第一保护层的端部以及第一保护层的顶面，第二保护层覆盖两抗硫化构件与第一保护层的表面，各抗硫化构件与第二保护层的连接界面形成一阶梯状界面，使硫气体难以沿着阶梯状界面进入晶片电阻的内部，达到抗硫化的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 抗硫化 第一保护层 电阻层 晶片电阻 第二保护层 电极层 阶梯状界面 电阻 基板 制法 局部覆盖 连接界面 两端电极 两端部 电极 外露 顶面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种抗硫化的晶片电阻，其特征在于，包含：/n一基板，其顶面包含两外侧区域与位于该两外侧区域之间的一中间区域；/n两上电极层，分别设置于该基板的该两外侧区域，各该上电极层的顶面包含一电阻迭接区域与一非电阻迭接区域；/n一电阻层，设置于该基板的该中间区域，且该电阻层的两端部分别迭接于该两上电极层的电阻迭接区域；/n一第一保护层，局部覆盖该电阻层，使该电阻层的该两端部分别外露于该第一保护层；/n两抗硫化构件，分别对应于该基板的该两外侧区域，各该抗硫化构件设置于对应的该上电极层的非电阻迭接区域、该电阻层外露于该第一保护层的端部以及该第一保护层的顶面；/n一第二保护层，覆盖该两抗硫化构件与该第一保护层的表面，该第二保护层的边界位于该两上电极层的非电阻迭接区域上方，各该抗硫化构件与该第二保护层的连接界面形成一阶梯状界面，该阶梯状界面位于该第二保护层的覆盖范围内，该阶梯状界面具有多数转折处；以及/n两端电极构件，分别对应于该基板的该两外侧区域，且分别电性连接该两上电阻层。/n
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