[发明专利]抗硫化的晶片电阻及其制法

说明书

一种抗硫化的晶片电阻及其制法，晶片电阻包含基板、两上电极层、电阻层、第一保护层、两抗硫化构件、第二保护层与两端电极构件；两上电极与电阻层设置于基板上，电阻层的两端部分别迭接于两上电极层的电阻迭接区域，第一保护层局部覆盖该电阻层，各抗硫化构件设置于对应的上电极层的非电阻迭接区域、电阻层外露于第一保护层的端部以及第一保护层的顶面，第二保护层覆盖两抗硫化构件与第一保护层的表面，各抗硫化构件与第二保护层的连接界面形成一阶梯状界面，使硫气体难以沿着阶梯状界面进入晶片电阻的内部，达到抗硫化的功效。

技术领域

本发明是关于一种晶片电组及其制法，特别是指抗硫化的晶片电阻及其制法。

背景技术

抗硫化特性是评估晶片电阻质量的指针之一，以下说明数种晶片电阻的现有结构。

图6所示为现有晶片电阻的结构，包含一基板80、一电极81、一电阻层82、一保护层83、一第一端电极层84与一第二端电极层85。该电极81为银电极，其设置于该基板80的顶面外侧，该电阻层82设置于该基板80的顶面，并覆盖局部的该电阻层82，该保护层82覆盖该电阻层82与局部的该电极81，该第一端电极层84从该电极81未被该保护层83覆盖的顶面向下延伸，而形成于该电极81的端面及该基板80的端面，该第二端电极层85形成于该第一端电极层84的表面，其中，该第一端电极层84与该第二端电极层85的上末端连接该保护层83的侧面。然而，硫气体会从该第一端电极层84、该第二端电极层85的上末端与该保护层83的交接界面渗入到电极81，导致电极81(银电极)容易被硫化。

图7所示为另一现有晶片电阻的结构，其大致与图6相同，和图6相比，图7所示的第一端电极层84的上末端841与该第二端电极层85的上末端851系进一步向上延伸至该保护层83的顶面，以增加硫气体渗入的路径长度，避免或延缓电极81被硫化。图8所示为再一现有晶片电阻的结构，其大致与图6相同，和图6相比，图8进一步包含一抗硫化层86，该抗硫化层86设置在该电极81的表面，该保护层83的边界位于该抗硫化层86的表面，通过该抗硫化层86，可避免电极81直接与从交接界面渗入的硫气体接触。

除了前述图6至图8所示的晶片电阻的现有结构之外，也有相关专利案，例如中国台湾专利公告第I300942号案及公告第I395232号案，可见如何强化晶片电阻的抗硫化特性是业界的一重要课题。是以，申请人经由审慎评估及多方考虑，并以从事此行业所累积的专业经验，经由不断的样品试作及改良，提出本发明的抗硫化的晶片电阻及其制法。

发明内容

有鉴于现有晶片电阻的抗硫化特性不彰，本发明的主要目的是提供一种抗硫化的晶片电阻及其制法，可有效避免晶片电阻被硫化。

本发明抗硫化的晶片电阻包含：

一基板，其顶面包含两外侧区域与位于该两外侧区域之间的一中间区域；

两上电极层，分别设置于该基板的该两外侧区域，各该上电极层的顶面包含一电阻迭接区域与一非电阻迭接区域；

一电阻层，设置于该基板的该中间区域，且该电阻层的两端部分别迭接于该两上电极层的电阻迭接区域；

一第一保护层，局部覆盖该电阻层，使该电阻层的该两端部分别外露于该第一保护层；

两抗硫化构件，分别对应于该基板的该两外侧区域，各该抗硫化构件设置于对应的该上电极层的非电阻迭接区域、该电阻层外露于该第一保护层的端部以及该第一保护层的顶面；

一第二保护层，覆盖该两抗硫化构件与该第一保护层的表面，该第二保护层的边界位于该两上电极层的非电阻迭接区域上方；以及

两端电极构件，分别对应于该基板的该两外侧区域，且分别电性连接该两上电阻层。

其中，各该抗硫化构件为一复合层构件，包含一抗硫化层与形成在该抗硫化层顶部的一氧化层，且该氧化层系金属氧化层。