[发明专利]用于使用异质结构化阴极来减小晶闸管存储器单元之间的电气干扰效应的方法和系统

摘要

本发明提供了用于减小在存储器阵列中的晶闸管存储器单元之间的电气干扰效应的方法和系统。通过使用具有减小的少数载流子寿命的材料作为嵌在阵列内的阴极线来减小单元之间的电气干扰效应。还通过形成阴极线内的势阱或阴极线中的单侧势垒来减小干扰效应。

主权项

多个易失性存储器单元，包括：第一晶闸管，其由具有第一带隙和第一电子亲和势的第一半导体材料形成，所述第一晶闸管包括第一阴极；第二晶闸管，其由所述第一半导体材料形成，所述第二晶闸管包括第二阴极；第一阴极线，其由第二半导体材料形成，所述第二半导体材料具有比所述第一带隙窄的第二带隙和与所述第一电子亲和势实质上相同的第二电子亲和势，所述第一阴极线连接所述第一晶闸管的所述第一阴极和所述第二晶闸管的所述第二阴极；第二阴极线，其中，所述第一阴极线形成在所述第二阴极线的顶部上；以及第一隔离绝缘体区，其将所述第一晶闸管的第一部分与所述第二晶闸管的第二部分分开。