[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710063704.7 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107026088B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朴起宽;刘庭均;金基一;成石铉;严命允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：形成布置在一条线上的第一鳍式图案和第二鳍式图案，所述第一和第二鳍式图案分别包括长边和短边，并且由在所述第一和第二鳍式图案的相邻的所述短边之间的第一沟槽分开；形成第一绝缘层以填充所述第一沟槽；通过去除所述第一绝缘层的一部分在所述第一绝缘层上形成第二沟槽；以及通过增大所述第二沟槽的宽度形成第三沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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