[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括具有不同阈值电压的多个晶体管。该半导体器件包括包括第一区域和第二区域的基板；以及分别形成在第一区域和第二区域中的第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管包括在基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层上以与第一栅绝缘层接触的第一下导电层、在第一下导电层上的第一蚀刻停止层以及在第一蚀刻停止层上的第一上栅电极，以及第二晶体管包括在基板上的第二栅绝缘层、在第二栅绝缘层上以与第二栅绝缘层接触的第二下导电层、在第二下导电层上的第二蚀刻停止层以及在第二蚀刻停止层上的第二上栅电极，其中第一下导电层的厚度小于第二下导电层的厚度。

主权项

一种半导体器件，包括：包括第一区域和第二区域的基板；以及分别形成在所述第一区域和所述第二区域中的第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管包括在所述基板上的第一栅绝缘层、在所述第一栅绝缘层上以与所述第一栅绝缘层接触的第一下导电层、在所述第一下导电层上的第一蚀刻停止层以及在所述第一蚀刻停止层上的第一上栅电极，以及所述第二晶体管包括在所述基板上的第二栅绝缘层、在所述第二栅绝缘层上以与所述第二栅绝缘层接触的第二下导电层、在所述第二下导电层上的第二蚀刻停止层以及在所述第二蚀刻停止层上的第二上栅电极，其中所述第一下导电层的厚度小于所述第二下导电层的厚度。