[发明专利]具有斜面晶片反射结构的晶片级封装发光装置及其制造方法

摘要

本发明揭露一晶片级封装发光装置及其制造方法，该发光装置包含一覆晶式LED晶片、一萤光结构、一侧面可透光结构及一具倾斜侧面的晶片反射结构。侧面可透光结构设置于LED晶片立面的外侧，并位于萤光结构下方，且具有一倾斜侧面；反射结构覆盖侧面可透光结构的倾斜侧面，且围绕于LED晶片的四周。藉此，具有倾斜侧面的反射结构能有效将LED晶片所发出的光线反射至出光面以汲取出发光装置之外，可增加发光装置的光汲取效率。

主权项

1.一种发光装置，包含：一覆晶式LED晶片，具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一立面及一电极组，该立面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面；一萤光结构，包含一第一表面、相对于该第一表面的一第二表面及一侧面，该侧面形成于该第一表面与该第二表面之间，而该第二表面设置于该覆晶式LED晶片上、且大于该上表面；一黏合层，设置于该覆晶式LED晶片的该上表面与该萤光结构的该第二表面之间；一侧面可透光结构，设置于该覆晶式LED晶片的该立面外侧及该萤光结构的该第二表面的下方，且包含一倾斜侧面，该倾斜侧面是相对于该第二表面及该立面为倾斜；以及一反射结构，覆盖该侧面可透光结构的该倾斜侧面。