[发明专利]具有斜面晶片反射结构的晶片级封装发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包含：

一覆晶式LED晶片，具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一立面及一电极组，该立面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面；

一萤光结构，包含一第一表面、相对于该第一表面的一第二表面及一侧面，该侧面形成于该第一表面与该第二表面之间，而该第二表面设置于该覆晶式LED晶片上、且大于该上表面；

一黏合层，设置于该覆晶式LED晶片的该上表面与该萤光结构的该第二表面之间；

一侧面可透光结构，设置于该覆晶式LED晶片的该立面外侧及该萤光结构的该第二表面的下方，且包含一倾斜侧面，该倾斜侧面是相对于该第二表面及该立面为倾斜，其中该侧面可透光结构是由包含第一可透光树脂的一材料所制成，该第一可透光树脂包含一重量百分浓度不大于20％的光散射性微粒，该第一可透光树脂为硅胶，該硅胶的折射系数为1.35至1.45之间；以及

一反射结构，覆盖该侧面可透光结构的该倾斜侧面，其中该反射结构是由包含第二可透光树脂的一材料所制成，该第二可透光树脂包含一重量百分浓度不小于20％的光散射性微粒。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该萤光结构为一萤光层或一多层结构，其中该多层结构包含至少一萤光部及至少一透光部。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中，该萤光结构包括一萤光层及一透镜阵列层，该透镜阵列层形成于该萤光层上。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中，该侧面可透光结构的该倾斜侧面为一平面、一凸面或一凹面。

5.如权利要求1至4任一项所述的发光装置，其中，该侧面可透光结构完整地覆盖该覆晶式LED晶片的该立面。

6.如权利要求1至4任一项所述的发光装置，其中，该侧面可透光结构部分地覆盖该覆晶式LED晶片的该立面。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中，该第二可透光树脂为聚邻苯二甲酰胺、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯、环氧树脂、或硅胶；该光散射性微粒为二氧化钛、氮化硼、二氧化硅或三氧化二铝。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中，该反射结构更覆盖该萤光结构的该侧面。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中，该反射结构设置于该萤光结构的该第二表面的下方。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中，该反射结构的一底面是向上倾斜。

11.如权利要求1至4任一项所述的发光装置，更包括一基板，该LED晶片及该反射结构设置于该基板上，而该LED晶片是电性连接至该基板。

12.一种发光装置，包含：

一覆晶式LED晶片，具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一立面及一电极组，该立面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面；

一透光层，包含一第一表面、相对于该第一表面的一第二表面及一侧面，该侧面形成于该第一表面与该第二表面之间，而该第二表面设置于该覆晶式LED晶片的该上表面、且大于该上表面；

一侧面可透光结构，设置于该覆晶式LED晶片的该立面及该透光层的该第二表面之间，且包含一倾斜侧面，该倾斜侧面是相对于该第二表面及该立面为倾斜，其中该侧面可透光结构是由包含第一可透光树脂的一材料所制成，该第一可透光树脂包含一重量百分浓度不大于20％的光散射性微粒，该第一可透光树脂为硅胶，該硅胶的折射系数为1.35至1.45之间；以及

一反射结构，覆盖该侧面可透光结构的该倾斜侧面，其中该反射结构是由包含第二可透光树脂的一材料所制成，该第二可透光树脂包含一重量百分浓度不小于20％的光散射性微粒。