[发明专利]一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法有效

专利信息
申请号: 201710052913.1 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN106834765B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 邢鹏飞;金星;孔剑;王敬强;刘洋;高波;都兴红;涂赣峰 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C1/06;C22C21/02;C22C23/00;C22C24/00;C22C18/00;C22C21/08;C22C21/00;C22C18/04
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 梅洪玉
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法,属于二次资源利用的技术领域。具体制备方法为:先将晶体硅碳化硅切割废料进行分选富集,得到Si富集料和SiC富集料,或者对切割废料不进行任何处理,其次根据所需配制的含硅合金准备其他金属;然后,将其他金属和Si富集料或切割废料置于熔炼炉中进行合金熔炼,待熔炼完全后进行扒渣处理;最后,将合金熔体浇入模具中,冷却,得到含硅合金。该方法实现了晶体硅的碳化硅切割废料的高效回收利用,不仅变废为宝,而且减少了环境污染。该方法具有流程短、能耗低、简单易行等优点,易于实现工业化生产。
搜索关键词: 一种 晶体 碳化硅 切割 废料 制备 合金 方法
【主权项】:
1.一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法,其特征在于,按以下步骤进行:步骤1:原料预处理(1)晶体硅碳化硅切割废料不经任何处理或进行分选富集,得到Si富集料和SiC富集料;(2)按照含硅合金的组分配比,配制含硅合金所需的除硅外的其他金属;步骤2:合金熔炼(1)将部分其他金属加入到熔炼炉中,升温并使其熔化;(2)待部分其他金属完全熔化后,加入Si富集料,搅拌至Si富集料完全熔化;(3)将剩余的其他金属加入熔炼炉中,待剩余的其他金属完全熔化后,搅拌至均匀,得到合金熔体;步骤3:扒渣和浇注合金熔体静置10~150min,进行扒渣,缓慢将合金熔体浇注到模具中,冷却得到含硅合金。
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