[发明专利]一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法

权利要求书

1.一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法，其特征在于，按以下步骤进行：

步骤1：原料预处理

(1)晶体硅碳化硅切割废料不经任何处理或进行分选富集，得到Si富集料和SiC富集料；

(2)按照含硅合金的组分配比，配制含硅合金所需的除硅外的其他金属；

步骤2：合金熔炼

(1)将部分其他金属加入到熔炼炉中，升温并使其熔化；

(2)待部分其他金属完全熔化后，加入Si富集料，搅拌至Si富集料完全熔化；

(3)将剩余的其他金属加入熔炼炉中，待剩余的其他金属完全熔化后，搅拌至均匀，得到合金熔体；

步骤3：扒渣和浇注

合金熔体静置10～150min，进行扒渣，缓慢将合金熔体浇注到模具中，冷却得到含硅合金。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤1中，所述的除硅外的其他金属为铝(Al)、锂(Li)、镁(Mg)、锌(Zn)、钒(V)、钙(Ca)、铜(Cu)、铁(Fe)、钡(Ba)、镍(Ni)、钴(Co)、钼(Mo)、铬(Cr)或稀土(RE)中的一种或几种；混合使用时，比例为任意比。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的含硅合金为铝含硅合金(Al-Si)、锂含硅合金(Li-Si)、镁含硅合金(Mg-Si)、锌含硅合金(Zn-Si)、钒含硅合金(V-Si)、硅钙合金(Si-Ca)、铝镁含硅合金(Al-Mg-Si)、铝锂含硅合金(Al-Li-Si)、铝硅铁合金(Al-Si-Fe)、铝硅稀土合金(Al-Si-RE)、铝硅铜合金(Al-Si-Cu)或锌铝镁含硅合金(Zn-Al-Mg-Si)中的一种。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的步骤1(1)中，所述的分选富集的方式采用重选或离心分离中的一种。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的步骤2(1)中，所述的部分为称量的其他金属的总质量的1/2～4/5。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的步骤2(1)中，所述的熔炼炉为电阻炉、真空感应炉、常压感应炉或电弧炉中的一种。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的步骤2(1)中，所述的升温，温度比其他金属中最高熔点≥50℃。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤1(1)中，所述的分选富集的方式可采用重选或离心分离中的一种。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤2(1)中，所述的部分为称量的其他金属的总质量的1/2～4/5。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤2(1)中，所述的熔炼炉为电阻炉、真空感应炉、常压感应炉或电弧炉中的一种。