[发明专利]一种基于MgO-CsPbBr3结构的发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710046512.5 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106876533B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 史志锋;李营;吉慧芳;雷玲芝;李新建 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26;H01L33/44 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 董晓慧 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于MgO‑CsPbBr3结构的发光器件及其制备方法，利用MgO绝缘层在高电场下的碰撞离化过程产生非平衡载流子，从而实现无p型空穴传输材料的钙钛矿发光器件的制备。本发明的发光器件包括绝缘的衬底，衬底上依次设有n型的电子提供层、CsPbBr3发光层、MgO绝缘层以及接触电极。本发明一方面利用MgO绝缘层在高电场下的碰撞离化过程产生载流子，另一方面借助CsPbBr3/MgO界面处较大的导带势垒可以形成对CsPbBr3层中注入电子的有效限制，从而实现非平衡电子和空穴载流子在CsPbBr3层中的高效率辐射复合，克服了传统CsPbBr3发光器件开启电压较大的难题，对CsPbBr3发光器件简化工艺、增强稳定性、减小功耗具有非常重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mgo cspbbr3 结构 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于MgO‑CsPbBr3结构的发光器件，包括绝缘的衬底（1），其特征在于：衬底（1）上依次设有n型的电子提供层（2）、CsPbBr3发光层（3）、MgO绝缘层（4）以及接触电极（5）；其中，采用射频磁控溅射方法在衬底1上沉积n型的电子提供层；衬底1为双面抛光的Al2O3衬底。
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