[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法有效
申请号: | 201710030460.2 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN108321153B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 陶佳佳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L21/71 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种静电放电保护结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底上具有鳍部,所述衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域,鳍部包括第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部;形成第一掺杂层;形成第二掺杂层和第三掺杂层;形成第一电极、第二电极以及第三电极。本发明技术方案可以通过控制第一掺杂层与第二掺杂层和第三掺杂层相接触的位置,实现对PN结成结位置的控制,所以本发明技术方案能够有效的降低对PN结成结位置控制的难度,有利于降低形成静电放电保护结构的难度,有利于改善形成静电放电保护结构的良率和性能。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上具有多个分立的鳍部,所述衬底包括第一区域、位于所述第一区域一侧且与所述第一区域相邻的第二区域以及与所述第二区域相对设置且与所述第一区域相邻的第三区域,位于第一区域衬底上的鳍部为第一鳍部,位于第二区域衬底上的鳍部为第二鳍部,位于第三区域衬底上的鳍部为第三鳍部;形成位于所述第一鳍部上的第一掺杂层,所述第一掺杂层内具有第一类型离子;形成位于所述第二鳍部上的第二掺杂层和位于所述第三鳍部上的第三掺杂层,所述第二掺杂层和所述第三掺杂层内具有第二类型离子,所述第二掺杂层与所述第一掺杂层相接触,所述第三掺杂层与所述第一掺杂层相接触;形成位于所述第一掺杂层上的第一电极、位于所述第二掺杂层上的第二电极以及位于所述第三掺杂层上的第三电极,所述第二电极和所述第三电极中的一个用于与第一偏压电连接,另一个用于与第二偏压电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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