[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710022586.5 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305918B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;冯美鑫;周宇;高宏伟;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/16;H01L33/20;H01L33/44;H01S5/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为 |
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| 搜索关键词： | 外延结构 氮化物半导体发光器件 电性接触 第二面 氮化物半导体激光器 超辐射发光二极管 脊型波导结构 制备工艺 阈值电流 背对 电阻 面形 热阻 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为![]()
面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。
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