[发明专利]高压半导体装置在审
| 申请号： | 201710004833.9 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN107919381A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 郭晓宇,汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底，及具有不同于第一导电型态的第二导电型态的外延层设置于基底上，外延层包含高压单元；低压单元；以及电位转换单元设置于高压单元与低压单元间，电位转换单元包含具有第二导电型态的源极区，具有第二导电型态的漏极区设置于源极区与高压单元间，其中漏极区通过设置于漏极区上方的漏极电极与高压单元电连接；以及栅极区设置于源极区与漏极区间。高压半导体装置更包含隔离结构，设置于高压单元与低压单元间，且隔离结构设置于漏极电极的正下方。本发明通过设置隔离结构贯穿外延层，防止电流从低压单元直接经由外延层流至高压单元，可减少高压半导体装置漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型态；一外延层，设置于该基底上，具有一不同于该第一导电型态的第二导电型态，该外延层包括：一高压单元；一低压单元；以及一电位转换单元，设置于该高压单元与该低压单元间，该电位转换单元包括：一源极区，具有该第二导电型态；一漏极区，设置于该源极区与该高压单元间，具有该第二导电型态，其中该漏极区通过一设置于该漏极区上方的漏极电极与该高压单元电连接；以及一栅极区，设置于该源极区与该漏极区间；以及一隔离结构，设置于该高压单元与该低压单元间，且该隔离结构设置于该漏极电极的正下方。
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