[发明专利]超结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710003994.6 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106887464B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，超结结构的N型柱由N型外延层组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型掺杂的氧化层组成；沟槽栅形成于N型柱的顶部；辅助沟槽栅形成于P型柱的顶部，辅助沟槽栅包括辅助栅极沟槽以及填充于辅助栅极沟槽中的辅助栅极多晶硅；辅助栅极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度，辅助沟槽栅用于在器件击穿时对击穿电流进行分流，从而对栅介质层进行保护。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的HTRB寿命并能在一定幅度内降低器件的源漏导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件，其特征在于：超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成；所述超结结构的所述N型柱由N型外延层组成，在所述N型外延层中形成有超结沟槽，所述P型柱由填充于所述超结沟槽中的P型掺杂的氧化层组成；所述P型柱通过氧化层中的P型掺杂实现和所述N型柱的电荷平衡；/n每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元，电荷流动区的每一个所述超结单元对应于一个超结器件单元，各所述超结器件单元包括：/n沟槽栅，形成于所述N型柱的顶部，所述沟槽栅包括栅极沟槽以及形成于所述栅极沟槽底部表面和侧面的栅介质层以及填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；/n辅助沟槽栅，形成于所述P型柱的顶部，所述辅助沟槽栅包括辅助栅极沟槽以及填充于所述辅助栅极沟槽中的辅助栅极多晶硅；/n所述辅助栅极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度，所述辅助沟槽栅用于在器件击穿时对击穿电流进行分流，从而对所述栅介质层进行保护。/n
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