[发明专利]用于制备多晶硅的方法在审
| 申请号： | 201680088499.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109562951A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·赫特莱因;海因茨·克劳斯 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制备多晶硅的方法，包括将包含氢气和硅烷和/或卤代硅烷的反应气体引入反应器中，其中反应器包括至少一个加热的载体，在其上通过热解沉积单质硅而形成多晶硅。在连续过程中，废气从反应器中排出，并且将从所述废气中回收的氢气作为循环气体进料至反应器中。循环气体具有小于1000ppmv的氮气含量。本发明进一步涉及具有氮组分小于2ppba的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 反应器 多晶硅 循环气体 氢气 制备 废气 氮气 反应气体 连续过程 卤代硅烷 单质硅 硅烷 热解 沉积 加热 回收 引入 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产多晶硅的方法，其包括将包含氢气和硅烷和/或卤代硅烷的反应气体引入反应器中，所述反应器包括至少一个加热的载体，在所述载体上通过热解沉积单质硅而形成所述多晶硅，并且其中以连续操作将废气从所述反应器中排出，并且将从所述废气中回收的氢气作为再循环气体再次供给于所述反应器，其特征在于所述再循环气体具有小于1000ppmv的氮气含量。
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