[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201680087095.2 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109417032A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡皓程;徐挽杰;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 冯艳莲 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，在该方法中，在衬底上分别形成第一掺杂类型的源区、第二掺杂类型的漏区以及沟道区；形成覆盖所述沟道区的假栅区；形成所述假栅区的侧壁，所述侧壁在所述源区一侧的宽度依据栅区与所述源区之间的重叠区域制作，所述侧壁在所述漏区一侧的宽度依据栅区与所述漏区之间的重叠区域制作；移除所述假栅区和所述假栅区的侧壁，并在移除所述假栅区和所述假栅区的侧壁后得到的空留区域内形成栅区，进而可通过假栅区侧壁来控制栅区与源区的重叠区域，以及栅区与漏区之间的重叠区域。 | ||
| 搜索关键词： | 假栅 侧壁 重叠区域 漏区 源区 栅区 隧穿场效应晶体管 掺杂类型 沟道区 制作 移除 控制栅区 衬底 覆盖 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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