[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在审
| 申请号： | 201680085630.0 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109155254A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 堀田英树;寺崎昌人 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 抑制反应气体对基底带来的不良影响。包括：通过对衬底供给原料气体而在衬底上形成无定形状态的晶种层的工序；通过对晶种层进行热处理而使晶种层多晶化的工序；和，通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的上述晶种层氧化的工序，所述循环为非同时地实施对衬底供给原料气体的工序、和对衬底供给含氧气体及含氢气体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种层 衬底 多晶化 供给原料 衬底处理装置 半导体器件 热处理 反应气体 含氢气体 含氧气体 非同时 无定形 氧化膜 基底 制造 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其包括：通过对衬底供给原料气体而在所述衬底上形成无定形状态的晶种层的工序；通过对所述晶种层进行热处理而使所述晶种层多晶化的工序；和，通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的所述晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的所述晶种层氧化的工序，所述循环为非同时地实施对所述衬底供给所述原料气体的工序、和对所述衬底供给含氧气体及含氢气体的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
