[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

说明书

抑制反应气体对基底带来的不良影响。包括：通过对衬底供给原料气体而在衬底上形成无定形状态的晶种层的工序；通过对晶种层进行热处理而使晶种层多晶化的工序；和，通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的上述晶种层氧化的工序，所述循环为非同时地实施对衬底供给原料气体的工序、和对衬底供给含氧气体及含氢气体的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

背景技术

作为半导体器件(device)的制造工序的一个工序，进行下述处理：对收容于处理容器内的衬底供给原料气体、氧化性强的反应气体，在衬底上形成氧化膜。此时，由于反应气体的氧化能力，存在对氧化膜的基底造成不良影响的情况(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-154652号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供能够抑制由反应气体引起的对基底的不良影响的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供下述技术，所述技术包括：

通过对衬底供给原料气体而在上述衬底上形成无定形状态的晶种层的工序；

通过对上述晶种层进行热处理而使上述晶种层多晶化的工序；和，

通过将下述循环实施规定次数而在经多晶化的上述晶种层上形成氧化膜、并且将经多晶化的上述晶种层氧化的工序，所述循环为非同时地实施对上述衬底供给上述原料气体的工序、和对上述衬底供给含氧气体及含氢气体的工序。

发明效果

根据本发明，能够抑制由反应气体引起的对基底的不良影响。

附图说明

[图1]为本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖面图示出处理炉部分的图。

[图2]为本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖面图示出处理炉部分的图。

[图3]为本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是以框图示出控制器的控制系统的图。

[图4]为示出本发明的一个实施方式的成膜顺序的图。

[图5](A)为在晶片上实施晶种层形成工序后的晶片的剖面图，(B)为对(A)的晶片实施退火工序后的晶片的剖面图，(C)为对(B)的晶片实施SiO膜形成工序后的晶片的剖面图。

[图6](A)为示出将炉内温度设定为450℃、500℃、550℃、600℃而进行晶种层形成工序的情况下的膜厚的评价结果的图，(B)为基于(A)的评价结果进行制图而得到的图。

[图7](A)为本发明的一个实施方式的在实施晶种层形成工序、退火工序后实施了蚀刻处理时的晶片的剖面图；(B)为本发明的一个实施方式的在晶种层形成工序后在不实施退火工序而实施了蚀刻处理的情况下的晶片的剖面图。

[图8]为将图7(A)的实施了退火工序的情况与图7(B)的未实施退火工序的情况的蚀刻量进行比较而示出的图。

[图9](A)为在晶片上实施晶种层形成工序后的晶片的剖面图，(B)为对(A)的晶片实施退火工序后的晶片的剖面图，(C)为对(B)的晶片实施SiO膜形成工序后的晶片的剖面图，(D)为对(C)的晶片实施蚀刻处理后的晶片的剖面图。