[发明专利]将加工物质与掺杂剂植入工件的方法及用于工件的设备有效
申请号: | 201680084099.5 | 申请日: | 2016-04-05 |
公开(公告)号: | CN109075041B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 具本雄;维克拉姆·M·博斯尔;约翰·A·弗龙梯柔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/205 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种将加工物质与掺杂剂植入工件的方法及用于工件的设备。出乎意料地,将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比,同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益,于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中,将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中,还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比,可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。 | ||
搜索关键词: | 加工 物质 掺杂 植入 工件 方法 用于 设备 | ||
【主权项】:
1.一种植入工件的方法,其特征在于,包括:在腔室中对包含加工物质及氟的第一源气体以及氖供能,以在所述腔室中形成等离子体;以及自所述等离子体提取离子并将所述离子引向所述工件,其中与不使用氖时的基线相比,自所述等离子体提取的纯加工物质离子的量占所有含加工物质的离子的百分比增加了至少5%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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