[发明专利]一种半导体制作方法及其设备在审
| 申请号： | 201680083645.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108780754A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡皓程;杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/335;H01L29/66 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体制作方法及其设备，用于制造隧穿场效应晶体管。本发明实施例方法包括：使用光刻技术在所述隧穿场效应晶体管基材的表面上确定第一极的位置，所述第一极为源极或者漏极；制作所述第一极的位置上的主轴结构，所述主轴结构包括多晶硅层和氮化物层，其中，所述多晶硅层与所述隧穿场效应晶体管基材的表面接触；制作所述多晶硅层的氮化物侧壁，以使得所述多晶硅层的表面密封于所述隧穿场效应晶体管基材的表面、所述氮化物侧壁和所述氮化物层；确定在所述隧穿场效应晶体管基材的表面上所述主轴结构和所述氮化硅侧壁以外的区域作为第二极的位置，所述第二极为漏极或者源极，且所述第二极不同于所述第一极。 | ||
| 搜索关键词： | 隧穿场效应晶体管 多晶硅层 基材 主轴结构 第一极 半导体制作 氮化物层 氮化物 侧壁 漏极 源极 氮化硅侧壁 表面密封 光刻技术 制作 制造 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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