[发明专利]用于改善晶片平面度的方法和由该方法制成的接合晶片组件在审
| 申请号： | 201680081960.2 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108604572A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | G.巴蒂尼卡;K.亚达瓦利;范谦;B.A.哈斯克尔;H.S.埃尔-古劳里 | 申请（专利权）人： | 奥斯坦多科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/02;H01L21/06;H01L21/20;H01L21/38;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用以改善半导体晶片的平面度的方法和由该方法制成的组件。在该方法的一个优选实施例中，具有预定厚度或图案的诸如SiO2的压缩PECVD氧化物层被沉积在具有不合意的翘曲或弯曲的半导体晶片的第二表面上。沉积的氧化物层的厚度或图案由测量的半导体晶片的翘曲或弯曲来确定。压缩氧化物层在半导体晶片的第二表面上引发抵消的压缩力，以降低跨半导体晶片的主表面的翘曲和弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 氧化物层 翘曲 第二表面 沉积 图案 压缩 接合晶片 晶片平面 平面度 压缩力 主表面 优选 抵消 测量 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低半导体晶片中的翘曲或弯曲的方法，包括：提供具有第一表面和第二表面的半导体晶片，其中，半导体晶片表面轮廓包括翘曲或弯曲；跨所述半导体晶片的表面测量所述翘曲或弯曲；以及在所述第二表面上沉积具有预定厚度的氧化物层，以在所述第二表面上引发预定的压缩力、拉伸力或者组合的压缩力和拉伸力，从而与在沉积所述氧化物层之前所述半导体晶片表面轮廓中的翘曲或弯曲相比，降低所述半导体晶片表面轮廓中的翘曲或弯曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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