[发明专利]外延涂布半导体晶片的方法和半导体晶片有效
| 申请号： | 201680074053.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108474133B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | C·哈格尔;K·迈;C·韦伯 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 彭丽丹;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在外延反应器(100)中在半导体晶片(120)上涂布外延沉积层(121)的方法，其中在涂布工序中，将至少一个半导体晶片(120)布置在所述外延反应器(100)中的相应衬托器(110)上，并且引导用于涂布所述至少一个半导体晶片(120)的第一沉积气体通过所述外延反应器(100)，其中在每种情况下在涂布工序之前进行蚀刻工序，在所述蚀刻工序中引导第一蚀刻气体和载气通过外延反应器(100)，并且在可预定次数的涂布工序以后，进行清洁工序，在所述清洁工序中引导第二蚀刻气体通过外延反应器(100)，然后特别是引导第二沉积气体通过外延反应器(100)，其中对于在各个涂布工序之前进行的两个或更多个蚀刻工序，根据相应的蚀刻工序来单独设置至少一个影响该蚀刻工序的变量。本发明还涉及一种半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在外延反应器(100)中在半导体晶片(120)上涂布外延沉积层(121)的方法，其中在涂布工序中，将至少一个半导体晶片(120)布置在所述外延反应器(100)中的相应衬托器(110)上，并且引导用于涂布所述至少一个半导体晶片(120)的第一沉积气体通过所述外延反应器(100)，其中在每种情况下在涂布工序之前进行蚀刻工序，在所述蚀刻工序中引导第一蚀刻气体和载气通过外延反应器(100)，并且在可预定次数的涂布工序以后，进行清洁工序，在所述清洁工序中引导第二蚀刻气体通过外延反应器(100)，然后特别是引导第二沉积气体通过外延反应器(100)，其中对于在各个涂布工序之前进行的两个或更多个蚀刻工序，根据相应的蚀刻工序来单独设置至少一个影响该蚀刻工序的变量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
