[发明专利]提升直接接合的接触对准容限

摘要

一种接合装置结构包括：第一基板，其具有第一组传导性接触结构(较佳的是连接到一装置或电路)，并且具有在第一基板上相邻接触结构的第一非金属性区域；第二基板，其具有第二组传导性接触结构(较佳的是连接到一装置或电路)，并且具有在第二基板上相邻接触结构的第二非金属性区域；以及在第一组和第二组接触结构之间的接触接合接口，其是藉由将第一非金属性区域接触接合至第二非金属性区域所形成。接触结构包括在两个基板上是非平行的长形接触特征(诸如个别线路或在格栅中连接的线路)，而在相交点接触。因而，改善了对准容限同时使凹陷和寄生电容最小化。

主权项

1.一种接合结构，其包括：第一半导体组件，其包括传导性第一接触结构和相邻所述第一接触结构的非金属性第一接合区域，所述第一接触结构包括传导性第一长形接触特征；以及第二半导体组件，其包括传导性第二接触结构和相邻所述第二接触结构的非金属性第二接合区域，所述第二接触结构包括传导性第二接触特征，其中所述第一接合区域与所述第二接合区域接触并且直接接合，以及其中所述第一长形接触特征被定向以与所述第二接触特征非平行，并且在所述第一长形接触特征和所述第二接触特征之间的相交点处与所述第二接触特征直接接触。